高频应用核心指标
信号完整性要求
表面粗糙度：Ra≤0.3μm（10GHz频段趋肤深度仅66μm）
介电损耗：@77GHz频段≤0.08dB/cm（IPC-TM-650 测试法）
铜箔轮廓度：Rz值＜2μm（确保5μm线宽/线距精度）
先进制造工艺
双面光铜箔：电解抛光技术使粗糙度降低至Ra 0.15μm
超薄化突破：6μm紫铜箔抗拉强度＞500MPa（行业量产极限）
环保制程：无氰镀液工艺重金属排放减少98%（符合IPC-4552B标准）
2024技术路线图
低轮廓铜箔（RTF）：在112Gbps传输速率下插损＜05dB/mm
载体铜箔（Carrier foil）：3μm铜层+18μm载体膜，剥离强度≥1.0N/mm
树脂直接镀铜（RD铜）：结合力提升300%，适用于AiP天线封装
数据支持：2023年全球高频高速铜箔市场规模达$47亿，年复合增长率21.3%（Prismark）
